在開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件，需要進(jìn)行器件級(jí)的靜態(tài)參數(shù)測(cè)量，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量，并不斷優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。就要使用到IV參數(shù)曲線測(cè)試儀2600-PCT-2B，

IV參數(shù)曲線測(cè)試儀2600-PCT-2B優(yōu)勢(shì)：

完整的解決方案，

? 可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)和重新配置，將PCT轉(zhuǎn)換成可靠性或晶片分類測(cè)試儀

? 可配置功率電平：200V至3kV、1A至100A

? 寬動(dòng)態(tài)范圍：µV至3kV、fA至100A

? 全量程容-電壓 (C-V) 能力：fF至µF

? 支持 2、3和4端器件、高達(dá)3kV DC偏移

? 高性能測(cè)試夾具支持一系列軟件包類型

? 探頭測(cè)試臺(tái)接口支持多種常見的探頭類型

特點(diǎn)：

• 完善的解決方案，價(jià)格實(shí)惠且性能優(yōu)異

• 可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)和重新配置，將 PCT 轉(zhuǎn)換成可靠性或晶片分類測(cè)試儀

• 可配置功率電平：

• 200V 至 3kV

• 1A 至 100A

• 寬動(dòng)態(tài)范圍：

• µV 至 3kV

• fA 至 100A

• 全量程容-電壓 (C-V) 能力：

• fF 至 µF

• 支持 2、3 和 4 端器件

• 高達(dá) 3kV DC 偏移

• 高性能測(cè)試夾具支持一系列軟件包類型

• 探頭測(cè)試臺(tái)接口支持最常見的探頭類型，包括 HV 同軸三線電纜、SHV 同軸電纜、標(biāo)準(zhǔn)同軸三線電纜等